《固体电子学研究与进展》杂志由中国电子科技集团公司主管,南京电子器件研究所主办的学术性期刊。自创刊以来,杂志始终立足无线电电子学科技前沿聚焦国内外无线电电子学发展动态,致力于打造集学术研究、技术交流与行业资讯于一体的高端传播平台。
《固体电子学研究与进展》栏目主要设置有三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯等多个栏目。杂志选题新颖,视角前瞻,既关注基础理论研究,也重视应用成果,兼顾学术深度与传播广度,具有信息量大、时效性强、实用性突出的特点,荣获 "中国优秀期刊遴选数据库、中国期刊全文数据库(CJFD)、中科双效期刊、中国科技期刊优秀期刊、中国期刊方阵双效期刊" 等荣誉。
InAlGaN超薄势垒层结构高频GaN HEMT器件
关键词:InAlGaN GAN 高频 高电子迁移率晶体管
一种改进EE_HEMT电容方程的GaN HEMT器件模型
关键词:GAN高电子迁移率晶体管 EE_HEMT模型 电容方程 负载牵引仿真
0.1~2.0 GHz 10W GaN单片行波放大器
关键词:超宽带 高效率 分布式 射频放大器
热电子应力下nMOSFET中复合电流的退化特性研究
关键词:界面陷阱 复合电流 热电子应力 n型金属氧化物半导体场效应晶体管
Nb掺杂浓度对单层MoS2电子能带结构的影响
关键词:单层MoS2 掺杂 电子结构 第一性原理
低入射能量下电介质样品出射电子特性
关键词:电介质 背散射电子 二次电子 数值模拟
6~18 GHz宽带波导合成器设计
关键词:6~18 GHZ 宽带 脊波导 功率合成
EMMI故障定位和基于故障树的GaAs MMIC失效分析
关键词:失效分析 故障树 微光显微镜 激光感应阻抗变化率
双层场板长漂移区LDMOS热载流子退化研究
关键词:长效可靠性 热载流子退化 双层场板长漂移区横向双扩散金属氧化物场效应晶体管 热空穴注入
基于Nakagawa极限理论的硅基IGBT通态特性研究
关键词:绝缘栅双极晶体管 注入增强 Nakagawa-limit 部分窄Mesa 通态比电阻